三星先進技術研究院(Samsung Advanced Institute of Technology,簡稱 SAIT)研發出新的半導體材料──「非晶質氮化硼」(amorphous boron nitride,簡稱 a-BN),有望讓次世代半導體加速現身。
三星官網 6 日新聞稿稱,SAIT、南韓蔚山國家科學技術研究院(Ulsan National Institute of Science and Technology)、英國劍橋大學,合力發現了新材料 a-BN,此一結果刊載於知名科學期刊《Nature》。
SAIT 致力於發展 2D 材料,也就是只有一層原子的晶體材料。該機構持續研究石墨烯,在石墨烯電晶體以及如何製作大型單晶的晶圓級石墨烯方面,達成了破天荒的研究成果。
SAIT 石墨烯計畫主管和主要研究員 Hyeon-Jin Shin 說:「為了加強石墨烯和以矽為基礎半導體製程的相容性,要在半導體基板上生成晶圓級石墨烯,必須在攝氏 400 度以下的低溫進行。」
July 06, 2020 at 01:14AM
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三星開發新材料a-BN,次世代半導體有望加速現身 - 科技新報 TechNews
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